新華社天津1月6日電（張建新、劉延�。┨旖虼髮W天津納米顆粒與納米系統(tǒng)國際研究中心馬雷教授團隊在半導體石墨烯領(lǐng)域取得顯著進展，攻克了長期以來阻礙石墨烯電子學發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難題，成功制備出高遷移率半導體外延石墨烯，表現(xiàn)出了10倍于硅的性能。
《自然》雜志網(wǎng)站目前以《碳化硅上生長的超高遷移率半導體外延石墨烯》為題在線發(fā)布了這一研究成果。
石墨烯，是首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的由單層原子或分子組成的晶體，具有優(yōu)異的光學、電學、力學特性，在材料學、微納加工、能源、生物醫(yī)學和藥物傳遞等方面具有重要的應(yīng)用前景，被認為是一種未來革命性的材料。但是其特有的零帶隙的結(jié)構(gòu)，是困擾石墨烯研究者數(shù)十年的難題。如何打開帶隙是開啟“石墨烯電子學”大門的“關(guān)鍵鑰匙”。
馬雷教授研究團隊通過對外延石墨烯生長過程的精確調(diào)控，成功地在石墨烯中引入了帶隙，創(chuàng)造了一種新型穩(wěn)定的半導體石墨烯。這項科技通過對生長環(huán)境的溫度、時間及氣體流量進行嚴格控制，確保了碳原子在碳化硅襯底上能形成高度有序的結(jié)構(gòu)。這種半導體石墨烯不僅具有帶隙，在室溫下也擁有遠超過硅材料的電子遷移率，并且擁有硅材料所不具備的獨特性質(zhì)。
據(jù)介紹，該項研究采用創(chuàng)新的準平衡退火方法制備的超大單層單晶疇半導體外延石墨烯，具有生長面積大、均勻性高、工藝流程簡單、成本低廉等優(yōu)勢，彌補了傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝的不足,其室溫遷移率優(yōu)于目前所有單層晶體至少一個數(shù)量級，基本滿足了工業(yè)化應(yīng)用需求。
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